杨晨读报告1008：存储器主线

发布时间：2025-10-08 文章来源：量学大讲堂

当前存储的主流需求就是DRAM、HBM和NAND，简单理解就是大家口中内存、显存和闪存（固态硬盘），那么AI对存储的需求为什么突然就爆发了呢？

1、DRAM：AI 服务器 “吃内存” 太猛，OpenAI订单成 “大炸弹”

AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8-10倍，所以并非突然爆发，主要是部分DRAM（DDR4等）产能被用于更先进的HBM，所有供需紧张。

近期最大的催化就是OpenAI和三星合作，给星际之门供货存储芯片，预计到29年每月需求是90万片晶圆，而当前全球DRAM产能每月才199万片晶圆，也就是一家openai的需求就占了全球产能的一半。

OpenAI的90万可以理解成是新增需求，那么扩产90万产能需要多久呢？过去的答案是接近18年（07年的100万到25年的199万），而未来是需要在4年内完成，毛估估每年扩产需求是过去的4倍了，对应的是设备和晶圆制造需求。

更离谱的是扩产速度。以前DRAM产能从2007年的100万片涨到2025年的199万片，用了18年的时间，平均每年才涨5万片。现在要给OpenAI补上 90万片的缺口，得在4年内搞定，每年就得扩产22.5万片，扩产速度是过去的4倍！设备、晶圆厂不得疯了似的加单呀！

2、HBM：DRAM里的 “卷王”，产能严重不足

属于DRAM的一种，也是这两年增速最猛的存储细分领域。同样的OpenAI也给海力士下单了90万片晶圆每月，当前全球产能集中在海力士、三星和美光（长鑫有少量低端HBM），当前每月产能仅有40万片晶圆。

HBM 其实是DRAM的 “升级版” 哈，专门给GPU、AI芯片当 “高速显存” 用的，这两年增速那叫一个猛。为啥呢？因为AI芯片算力越来越强，普通显存的 “传输速度” 根本跟不上，HBM能把多个显存堆起来，就像叠汉堡一样，速度直接就拉满啦。

但是问题来了，OpenAI不光找三星要DRAM，还给海力士下了HBM的订单，每月也要90万片晶圆！可现在全球HBM产能是多少呢？每月才40万片！海力士、三星、美光这三家巨头加起来都不够，长鑫那点低端HBM根本就不够看。

原来HBM产能就像小水管，现在突然要接大水库的水，不爆才怪。所以这两年HBM的价格跟坐火箭似的，缺货缺到厂商订单都排到明年了，扩产的话，没个两三年根本缓不过来。

3、NAND：训练时 “躺平”，推理时 “爆发”

这个在训练领域需求很少，是推理时代才爆发的需求，到29年闪存的需求是15年的2.1倍。

NAND就是闪存，咱们平时用的固态硬盘就靠它。不过它在AI训练阶段需求不大，训练的时候数据主要在内存（DRAM）里跑，跑完就扔了。真正爆发是在推理阶段，也就是大模型 “上班” 的时候。

举个例子，现在用GPT的人越来越多，每天有几亿次提问，每次都得调模型参数、存用户对话记录，这些都得存在闪存里。再加上多模态（文字、图片、视频一起上），一个视频占的空间是文字的几百倍，闪存需求直接就 “撑破” 啦。

机构预测到2029年，闪存需求会是2015年的2.1倍！现在闪存厂的订单都排到半年后了，下游厂商抢货跟抢白菜似的。

对于价格，还在继续涨，增速都没有放缓的迹象。

4、产业链哪些环节值得关注？

从行业趋势来看，有两条主线值得留意：一条是 “AI 驱动的 HBM 产业链”，另一条是 “半导体周期复苏下的存储芯片主线”。

结合供需逻辑与国产替代进程，以下分环节梳理：

1 主线一：AI 驱动的 HBM 产业链（高增长确定性）

HBM 因 AI 算力需求爆发进入 “量价齐升” 阶段，全球 90% 市场被 SK 海力士、三星等垄断，但国产供应链在设备、材料、封装环节加速突破，建议按 “材料→设备→封装” 的优先级布局：

（1）封装材料：国产替代最明确的环节

华海诚科：国内唯一量产 HBM 封装必备的颗粒状环氧塑封料（GMC）的企业，产品适配 12 层 HBM3E 堆叠，已通过长电科技、通富微电认证，2025 年 GMC 业务营收占比预计超 40%，绑定长鑫存储 HBM 样品开发，国产替代空间巨大。

联瑞新材：全球领先的球形硅微粉供应商，产品用于 GMC 填充，低放射性产品粒径误差≤0.5μm，性能接近德国默克，2025 年产能规划 5 万吨 / 年，直接受益 HBM 封装材料需求增长。

壹石通：球形氧化铝材料导热系数达 30W/m・K，是传统材料的 3 倍，已导入三星、海力士封装厂，2024 年投产 200 吨 / 年低放射性产线，适配 HBM 高导热需求。

（2）设备环节：技术突破 + 订单弹性双驱动

精智达：HBM 专用测试机分辨率 0.1μm，供货 SK 海力士、长电科技，2024 年订单量增 50%，HBM 检测业务收入占比超 30%，2025 年潜在订单空间达 40 亿元。

赛腾股份：收购日本 Optima 切入 HBM 缺陷检测，设备应用于三星 / SK 海力士产线，2025 年已交付 37 台设备，订单总额超 11 亿元，直接受益国际大厂扩产。

北方华创：12 英寸 TSV 刻蚀机市占率超 50%，已用于长鑫存储、武汉新芯 HBM 产线，2024 年设备订单同比增长 120%，HBM 相关设备占比超 30%，单台设备价格约 3000 万元，订单弹性显著。

（3）先进封装：产能释放期业绩弹性大

通富微电：国内 HBM 封测龙头，完成 HBM2E/3 样品开发，南通工厂 2025 年产能目标 10 万片 / 月，绑定 AMD、英伟达供应链，2024 年净利润同比增 120%，伴随国产 HBM 量产业绩将持续释放。

太极实业：子公司海太半导体掌握 16 层 DRAM 堆叠技术，为 SK 海力士提供 HBM 封装服务，2024 年封测收入增 42%，HBM 业务占比 40%，可快速将技术迁移至国产产线。

2 主线二：周期复苏下的存储芯片产业链（估值修复 + 业绩增长）

当前 NAND/Q4 涨价 5-10%、DRAM 全品类普涨，叠加长江存储等国产原厂扩产，产业链从 “底部回升” 进入 “量价齐升” 阶段，可关注 “设备材料 + 设计模组” 两大环节：

（1）上游设备与材料：国产替代的 “卖水人”

盛美上海：国内半导体清洗设备龙头，单片清洗设备技术对标东京电子，长江存储 3D NAND 多层堆叠工艺对清洗精度要求提升，公司设备已进入其产线，单万片月产能需约 20 台清洗设备，扩产直接拉动需求。

中微公司：等离子体刻蚀设备大规模应用于长江存储 3D NAND 产线，覆盖多层堆叠关键制程，3D NAND 层数从 64 层向 232 层演进，刻蚀设备需求同步提升，每扩产 1 万片月产能需采购约 50 台，订单确定性强。

安集科技：国内 CMP 抛光液绝对龙头，产品覆盖长江存储 12 英寸 3D NAND 产线，在铜 / 铜阻挡层抛光液领域市占率超 20%，长江存储扩产带动抛光液用量（单万片月产能需约 300 吨），未来 3 年营收增速有望保持 30%+。

（2）下游设计与模组：直接受益价格上涨

江波龙：国内存储模组龙头，与长江存储深度合作，致态颗粒已占其消费级 SSD 采购量的 30%，通过 “原厂颗粒 + 自主固件” 模式提升毛利率至 20%+，消费级 SSD 市占率从 5% 向 10% 突破，直接受益颗粒涨价与国产替代。

东芯股份：专注存储芯片设计，产品覆盖 NAND、DRAM 等，在车规级存储领域布局领先，伴随汽车电子与消费电子需求复苏，2025 年订单已出现 15%+ 增长，业绩弹性显著。

兆易创新：NOR Flash 全球龙头（市占率 19%），同时拓展 DRAM 业务，与长鑫存储合作开发 DDR4/DDR5 产品，2025 年 DRAM 业务有望贡献 15% 营收，形成 “NOR+DRAM” 双增长曲线。

3 主线三：长江、长鑫存储重点合作标的逻辑，有实际订单

华海清科（688120.SH）——CMP 抛光设备绝对龙头

国内唯一实现 12 英寸 CMP 设备量产的厂商，市占率 65%，产品通过长江存储 294 层 NAND 及长鑫存储 DDR5 产线验证，部分型号为独家供应。2025 年上半年新签 CMP 订单中，先进制程占比显著提升，Universal-H300 机型获批量重复订单，同时减薄机（Versatile–GP300）、划切设备等新业务实现突破。长江存储 2025 年资本开支超 500 亿元，CMP 设备需求占比约 10%，直接拉动订单增长。收购芯嵛半导体后，离子注入机进入长江存储验证阶段，形成 “抛光 + 离子注入” 设备组合。

雅克科技（002409.SZ）—— 前驱体与光刻胶双料供应商

长江存储合作：半导体前驱体覆盖 200 层以上先进制程，全球仅 3 家企业达标，2025 年存储材料收入占比达 58%。2024 年向长江存储销售金额超 8 亿元，占其前驱体采购量的 25%。

长鑫存储绑定：光刻胶及前驱体产品适配 LPDDR5 及 HBM 堆叠需求，2025 年关联交易预计达 11.61 亿元，占长鑫存储前驱体采购量的 15%-20%。其 OLED 光刻胶已进入长鑫存储测试阶段，有望复制长江存储的导入路径。

产能保障：宜兴光刻胶本土化工厂产能逐步释放，2025 年光刻胶总产能将达 1.2 万吨，支撑订单交付。

晶瑞电材（300655.SZ）—— 光刻胶与湿电子化学品协同突破

光刻胶订单：KrF 光刻胶已批量供应长江存储 232 层 NAND 及长鑫存储 DDR5 产线，2025 年锁定长鑫存储三年长单，金额超 10 亿元。ArF 光刻胶实现小批量出货，送样中芯国际及华虹半导体，技术对标日本 JSR。

湿电子化学品：G5 级高纯双氧水、硫酸金属杂质含量低于 1ppt，市占率超 40%，与光刻胶形成 “材料包” 协同，2025 年上半年对长江存储销售额同比增长 120%。

产能扩张：新建年产 1000 吨 KrF 产线（国产最大）2025 年投产，投产后市占率将超 30%。

兴福电子（拟上市）—— 湿电子化学品隐形冠军

长江存储深度绑定：电子级磷酸、硫酸覆盖其全产线，2024 年 1-6 月销售额 8401 万元（同比 + 180%），客户排名跃居第一。SEMI G5 级（金属杂质≤0.1ppb）产品通过验证，成为核心供应商。

长鑫存储业绩弹性：2025 年上半年集成电路领域收入 5.8 亿元（占比 86.92%），推测长鑫存储订单占比 50%-70%，金额约 2.9-4.1 亿元。随着长鑫 HBM 产线扩产，订单增速有望超 50%。

成本优势：依托兴发集团磷矿资源，电子级磷酸成本较进口低 30%，毛利率达 45%，显著高于行业平均水平。

深科技（000021.SZ）—— 存储封测核心服务商

长江存储合作：子公司沛顿科技承接其 128 层 3D NAND 封测订单，2025 年上半年封测收入同比增长 40%，占长江存储委外封测量的 30%。

长鑫存储绑定：负责 17nm 及以下芯片的封装测试及模组生产，承接超 50% 的委外封测需求，2025 年关联交易金额预计达 15 亿元。其合肥封测基地二期（投资 50 亿元）2025 年投产，产能提升至每月 10 万片。

技术壁垒：具备 eWLB、SiP 等先进封装能力，良率达 99.7%，高于行业平均水平。